RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
34
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
34
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2620
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link