RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Comparar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
80
Por volta de 55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
80
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2657
1775
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link