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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
80
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
80
读取速度,GB/s
15.0
14.7
写入速度,GB/s
10.1
8.1
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
1775
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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