RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
66
Por volta de 64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
7.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
66
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
7.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1862
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link