RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
7.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
7.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1862
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link