Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 51

Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.9 9.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.6 8.1

Среднее значение в тестах

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 51
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 9.9
Скорость записи, Гб/сек

8.6 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2395 2314

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB

Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-500.A01LF 8GB

Kingston 9905403-500.A01LF 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB

модули RAM