RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
51
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2314
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link