Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Gesamtnote
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Unterschiede

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 27
    Rund um 4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15 left arrow 12.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 10600
    Rund um 1.41 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.8 left arrow 15.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 9.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 14900
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2143 left arrow 2306
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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