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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
14900
10600
Rund um 1.41 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
14900
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2306
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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