Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Pontuação geral
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Por volta de 4% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15 left arrow 12.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.6 left arrow 9.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    14900 left arrow 10600
    Por volta de 1.41 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.8 left arrow 15.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.0 left arrow 9.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 14900
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2143 left arrow 2306
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RAM 1
RAM 2

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