Comparação RAM Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Pontuação geral

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 27

Por volta de 4% menor latência

Razões a considerar
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15 12.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.6 9.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

14900 10600

Por volta de 1.41 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2143 2306

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns