Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Note globale
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

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Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Autour de 4% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15 left arrow 12.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.6 left arrow 9.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    14900 left arrow 10600
    Autour de 1.41 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    26 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.8 left arrow 15.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.0 left arrow 9.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 14900
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2143 left arrow 2306
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons