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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
14900
10600
Autour de 1.41 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
14900
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2306
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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