Comparaison de la RAM Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Note globale

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

26 27

Autour de 4% latence réduite

Raisons de considérer
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15 12.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.6 9.0

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

14900 10600

Autour de 1.41 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2143 2306

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns