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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
14900
10600
Intorno 1.41 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
27
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
14900
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2306
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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