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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
14900
10600
左右 1.41 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
12.8
15.0
写入速度,GB/s
9.0
9.6
内存带宽,mbps
10600
14900
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2306
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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