Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 27
    Около 4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    14900 left arrow 10600
    Около 1.41 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.8 left arrow 15.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 9.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 14900
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2143 left arrow 2306
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения