RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
14900
10600
Около 1.41 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
14900
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2306
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link