RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
42
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
42
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3033
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link