RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3033
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link