RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
24
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
16
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2532
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link