RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2532
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link