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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
16
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2920
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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