RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2920
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link