RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
16.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3715
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link