RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3715
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link