RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3715
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link