RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Comparar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
31
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
15.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1610
3672
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link