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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
11.9
18.2
写入速度,GB/s
7.6
15.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
3672
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
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