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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.7
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
3,858.9
20.2
写入速度,GB/s
1,574.4
15.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
3559
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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