RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,160.7
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
43
Por volta de -48% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
29
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
11.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
3167
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link