Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Средняя оценка

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 16.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,160.7 11.1

Среднее значение в тестах

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 43

Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 29
Скорость чтения, Гб/сек

5,987.5 16.9
Скорость записи, Гб/сек

2,160.7 11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

957 3167

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX16 4GB

Kingston KHX16 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB

Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

модули RAM