RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
2731
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link