RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3178
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link