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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Comparar
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
44
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,892.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
30
Velocidade de leitura, GB/s
6,181.5
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,892.9
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
851
3019
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
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