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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,475.5
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
56
Por volta de -75% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8800
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,878.3
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,475.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
8800
21300
Other
Descrição
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
598
2641
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparações de RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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