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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
57
Por volta de -111% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
57
27
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1244
2918
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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