RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Comparar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
57
Por volta de -185% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
57
20
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1244
3593
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link