RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Comparar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
57
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
57
32
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1244
2714
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link