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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Comparar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs INTENSO 5641160 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Pontuação geral
INTENSO 5641160 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razões a considerar
INTENSO 5641160 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
57
Por volta de -148% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
57
23
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1244
2613
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
INTENSO 5641160 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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