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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Comparar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Pontuação geral
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
57
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
57
28
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1244
3650
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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