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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2418
2672
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.C16FH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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