RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
2672
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 99U5403-048.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-035.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link