RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
47
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2815
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link