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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
11.8
15.3
写入速度,GB/s
8.0
12.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2815
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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