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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparar
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2402
3692
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Comparações de RAM
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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