Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

总分
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

总分
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    24 left arrow 27
    左右 11% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.4 left arrow 15.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.5 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    24 left arrow 27
  • 读取速度,GB/s
    15.5 left arrow 17.4
  • 写入速度,GB/s
    9.3 left arrow 14.5
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2402 left arrow 3692
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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