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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Comparar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
26
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
13.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
26
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
17.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2926
3972
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparações de RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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