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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
46
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
46
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
2396
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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