Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 46
    Около 22% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.8 left arrow 11
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 9.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 17000
    Около 1.25% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 46
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.8 left arrow 11.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2497 left arrow 2396
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения