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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
41
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
7.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
6.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
41
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
6.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2926
1512
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparações de RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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