RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
41
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
41
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
7.8
Скорость записи, Гб/сек
13.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2926
1512
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Сравнения RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link