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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
49
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
49
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2222
2413
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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