RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
49
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2222
2413
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link