RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparar
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
24
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
23
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2222
3317
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link