RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2222
3317
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Inmos + 256MB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link