RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2222
3317
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link